Полупроводниковые глиноземовые керамические камеры, как ключевые компоненты высокоплотного плазменного etching оборудования, требуют разработки и применения, которые отвечают многочисленным требованиям производительности в экстремальных технологических средах.
Характеристики материала и требования к подготовке
1.Высокая чистота и низкие примеси:Глинозема керамическая должна иметь чистота от ≥ 99,9%, с содержанием металлических примесей (таких как MgO, CaO, и SiO₂) контролируется в пределах 0,05%0,8%, чтобы уменьшить риск загрязнения частиц во время процесса плазменной резки.
2.Процесс уплотнения:Используется изостатическое прессование и высокотемпературное спекание (плотность ≥ 3,98 г/см ³), а наноскальное покрытие (5-10 μm толщиной) применяется для повышения уплотнения поверхности, что позволяет регулировать скорость трения ниже 0,1 μm/h.
3.Соответствие термической устойчивости:Коэффициент теплового расширения (4.2 × 10⁻⁶/℃) должен быть совместим с металлическим субстратом (таким как алюминиевый сплав), чтобы предотвратить трещины покрытия при высоких температурах (300℃) и последующего выхода из строя камеры.
Основные преимущества в работе
1.Стойкость к плазменной эрозии:В средах CF₄ и SF₆ plasma скорость коррозии высокочистых глиноземов снижается более чем на 90% по сравнению с традиционными металлическими материалами, что эффективно снижает уровень ионно-металлического загрязнения ваферов.
2.Диэлектрическая стабильность:Диэлектрическая константа устойчива под радиочастотными электрическими полями (ε≈9.8), обеспечивая отклонение однородности плазменного распределения < ±3%, и улучшая вертикальность гравцевого профиля до ≥89.5°.
3.Контроль чистоты поверхности:После полировки поверхностная неровность Ra составляет < 0,2 гравия, а пористость - < 0,1%, что подает газовую адсорбцию и измельчение частиц, удовлетворяя требованиям чистоты для процессов ниже 7 нм.
Сценарии применения
1.Защита от резьбы:Используемый в качестве камерного вкладышника или независимого камерного материала в оборудовании таких компаний, как Lam Research и AMEC, он может выдерживать коррозионные газы, такие как Cl₂ и NF₃, продлевая срок службы до более 2000 часов.
2.Система подачи газа:Используемая в газораспределительных трубопроводах и душевых, ее точная пористость (размер поры 50-100 гранум) обеспечивает погрешность расхода газа < 1%, что обеспечивает однородность гранулирования.
3.Компоненты поддержки ваферов:В сочетании с карбидом кремния композитных материалов для электростатических подложек лопаточной части, он обеспечивает однородность температуры вафли в градуировке 0,3 градуса при 150 градуировании, с деформацией края < 10 градуса.
Supports custom specifications.